Slovo „flash memory“ je nyní mají všichni plná ústa. Pod pojmem „flash drive“ i prvňáčky v konverzaci se často používá. Tato technologie s neuvěřitelnou rychlostí získal popularitu. Navíc mnozí analytici předpovídají, že v blízké budoucnosti flash paměti nahradí zařízení pro ukládání dat na bázi magnetických disků. Co zůstává, je jen sledovat průběh vývoje a jeho výhody. Překvapivě mnoho, mluví o tomto novém produktu, skoro neví, že takové flash paměti. Na jedné straně je třeba, aby uživatel přístroj pracoval, a jak plní své funkce - drobné záležitosti. Nicméně, mít alespoň základní znalosti potřebné pro každého vzdělaného člověka.
Co je Flash paměť?
Jak víte, počítače mají několik typů zařízení pro ukládání dat: paměťové moduly, pevné disky a optické mechaniky. Poslední dva - to je elektromechanické řešení. Ale RAM - plně elektronické zařízení. Je sbírka tranzistorů na čipu sestaven speciální čip. Její zvláštnost spočívá v tom, že data jsou uložena tak dlouho, dokud základní elektroda každého ovládacího tlačítka je pod napětím. V současné době jsme se později podíváme blíže. Flash paměť postrádá tento nedostatek. nabíjení problém při skladování bez externího napětí řešen pomocí plovoucích gate tranzistorů. V nepřítomnosti vnějšího vlivu náboje v takové zařízení může být udržována dostatečně dlouhou dobu (alespoň 10 let). Vysvětlit princip činnosti, je třeba připomenout základy elektroniky.
Jak tranzistor?
Tyto prvky se staly tak široce používané, že to je vzácné, pokud nejsou používány. Dokonce i banální spínač světel je někdy nastaven řízený klíče. Jak se o klasický tranzistor uspořádány? Je založen na dvou polovodičového materiálu, z nichž jeden má elektronovou vodivost (n), a druhý otvor (p). Pro získání jednoduchého tranzistor, je třeba kombinovat materiály, jako je NPN a každý blok konektoru elektrody. V jednom extrému elektrody je aplikován (emitor) napětí. Mohou být řízena změnou velikosti potenciálu na průměrného výkonu (báze). Demontáž se vyskytuje na kolektoru - třetí extrémní kontaktu. Je zřejmé, že se zmizením základního napětí vrátí do neutrálního stavu. Ale tranzistor zařízení s plovoucí brány podkladové fleshek poněkud odlišné: přední straně polovodičového základního materiálu je umístěna tenká vrstva dielektrika a plovoucí bránu - dohromady tvoří tak zvaný „kapsy“. Při aplikaci plus napětí na bázi tranzistoru, které mají být otevřeny průchodem proudu, který odpovídá logické nuly. Ale v případě, že brána dát jediný náboj (elektrony), jeho pole neutralizuje vliv base-budovy - přístroj bude odmítnout uzavřené (logické jednotky). Měřením napětí mezi emitor a kolektor může zjistit přítomnost (nebo nepřítomnost) náboje na plovoucí bráně. Uvedení náboj na brány pomocí efektu tunelu (Fowler - Nordheim). Chcete-li odstranit potřebu učinit vysoký náboj (9) k zápornému napětí a pozitivní základny na emitor. Poplatek opustí bránu. Vzhledem k tomu, že technologie se neustále vyvíjí, bylo navrženo kombinovat provedení a konvenční tranzistor s plovoucím bránou. To umožnilo „vymazat“ účtovat nízkého napětí a produkují více kompaktní zařízení (bez nutnosti izolovat). USB flash paměť používá tento princip (NAND konstrukce).
Tím, že kombinace těchto tranzistorů v blocích, bylo možné vytvořit paměť, ve které se zaznamenaná data teoreticky zachovány beze změny po celá desetiletí. Snad jedinou nevýhodou moderních flash disky - počet limitu zapisovacích cyklů.